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一种高性能热处理氮化硅陶瓷及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200610011115.6

申请日期：2006.01.06

公开公告号：CN1793043

公开公告日：2006.06.28

主分类号：C04B35/584(2006.

分类号：C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：清华大学

地址：100084北京市北京100084-82信箱

发明设计人：李建保;郭钢锋;杨晓战;林红;梁龙;何明生

内容摘要：本发明涉及一种高性能热处理氮化硅陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明以氮化硅粉末和一定量的单一稀土氧化物添加剂为原料，混合均匀后成型，烧结使其致密化，再对其进行烧结后热处理。所述氮化硅陶瓷含有α相氮化硅粉末和单一稀土氧化物添加剂，所述α相氮化硅粉末的重量百分比为80～95％，所述单一稀土氧化物添加剂的重量百分比为5～20％。这种材料在完全没有添加预制的β-Si3N4晶种的情况下不但具有很高的室温强度而且在高温下其强度也很高，是一种制作轧辊，涡轮转子，燃烧室内壁，轴承，切割刀具，阀门，热处理夹具等零部件理想的高温结构材料，可广泛应用于冶金，化工，机械，航天及军事领域。

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