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| 用硅灰石制备介电陶瓷的方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200610017168.9 |
| 申请日期：2006.09.12 |
| 公开公告号：CN1915902 |
| 公开公告日：2007.02.21 |
| 主分类号：C04B35/22(2006.0 |
| 分类号：C04B35/22(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：吉林大学 |
| 地址：130012吉林省长春市前进大街2699号 |
| 发明设计人：蒋引珊;夏茂盛;张东丽;张 磊 |
| 内容摘要：本发明涉及一种利用天然硅灰石矿物为主要原料制备低温烧结介电陶瓷的方法，主要原料包括硅灰石、链状矿物、层状矿物和硼化合物。将硅灰石、链状矿物原料、层状矿物原料粉碎到一定的目数，经水洗、干燥、造粒、加压成型后在一定的温度条件下进行烧结，出炉即为介电陶瓷。用三电极法测试用本发明制备的介电陶瓷，介电常数小于4.2，介质损耗小于7.3×10-4，电阻率大于1014，平均抗弯强度大于68Mpa。以硅灰石为主晶相的陶瓷材料具有原料来源丰富、价格低廉、工艺简单易行，烧成温度低，介电常数低、低介质损耗、品质因数高、介电性能优良等特点。 |
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