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| 低温烧结五元系铌镁锰锑锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200610018251.8 |
| 申请日期：2006.01.19 |
| 公开公告号：CN1803708 |
| 公开公告日：2006.07.19 |
| 主分类号：C04B35/472(2006. |
| 分类号：C04B35/472(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/493(2006.01)I;C |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：湖北大学 |
| 地址：430062湖北省武汉市武昌区宝集安 |
| 发明设计人：周桃生;李 剑;魏 念;黄荣厦;柴荔英 |
| 内容摘要：本发明提出一种CdO、SiO2组合低熔点添加剂，应用到五元系压电陶瓷材料中，极大的降低烧结温度，达到最大限度减少PbO的挥发，减轻环境污染的目的，配方为Pb(Mg1/3Nb2/3)a(Mn1/3Nb2/3)b(Mn1/3Sb2/3)cZrdTieO3+0.6wt％CdO+0.1wt％SiO2 其中，0≤c≤0.1，0.08≤a+b≤0.14，076≤d+e≤0.92，a+b+c+d+e+＝1， 0.3≤f≤2，0≤g≤0.3 烧结温度为900℃左右，压电介电性能优良，工艺稳定。可采用传统工业用原材料和压电陶瓷制备技术制备，适用于规模生产。 |
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