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| 沉积环退火处理方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200610029905.7 |
| 申请日期：2006.08.10 |
| 公开公告号：CN101122009 |
| 公开公告日：2008.02.13 |
| 主分类号：C23C14/58(2006.0 |
| 分类号：C23C14/58(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有 |
| 地址：201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 发明设计人：陈顺发;张 强 |
| 内容摘要：一种沉积环退火处理方法，包括：确定沉积反应室温度；将沉积环由常温升温至退火温度，所述退火温度高于沉积反应室温度；维持退火温度；将沉积环由退火温度降至常温。应用本发明方法，可在沉积过程发生前去除在沉积温度下易挥发的沉积环内陶瓷材料部分组分，减少沉积时沉积环内陶瓷材料的挥发，保证沉积过程中真空室内的真空度，有效控制沉积缺陷的产生；进而减少沉积废品的产生，提高了生产良率，降低了生产成本。 |
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