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| 抗腐蚀的晶片处理设备及其制造方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200610064284.6 |
| 申请日期：2006.11.30 |
| 公开公告号：CN101101887 |
| 公开公告日：2008.01.09 |
| 主分类号：H01L21/67(2006.0 |
| 分类号：H01L21/67(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I;H0 |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：通用电气公司 |
| 地址：美国纽约州 |
| 发明设计人：B·J·奥莱奇诺维茨;D·M·鲁辛科;W·范;D·萨里加尼斯;M·谢普肯斯;D·A·龙沃思;V·L·罗;X·刘;J·克卢格 |
| 内容摘要：一种晶片处理设备特征在于具有抗腐蚀连接，用于其电连接、穿通沟道、凹进区、升高区、MESA、通孔例如起模顶杆孔、螺栓孔、盲孔等，特定的结构采用具有良好化学稳定性质和最佳CTE的连接体和填料，该最佳的CTE即具有紧密匹配基底基板层的CTE、电极以及涂层的CTE的热膨胀系数(CTE)。在一个实施例中，采用了包括玻璃-陶瓷材料的填料组成。 |
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