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快速制备高强度氮化硅-氮化硼可加工陶瓷的方法

发明专利

申请专利号：CN200610088995.7

申请日期：2006.07.28

公开公告号：CN1887797

公开公告日：2007.01.03

主分类号：C04B35/584(2006.

分类号：C04B35/584(2006.01)I;C04B35/586(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：北京工业大学

地址：100022北京市朝阳区平乐园100号

发明设计人：李永利;张久兴;李瑞霞

内容摘要：一种快速制备高强度氮化硅-氮化硼可加工陶瓷的方法，属于结构陶瓷制备技术领域。纳米BN包覆Si3N4颗粒表面后热压烧结制备Si3N4-BN可加工陶瓷工艺复杂冗长，制备效率低，成本高。本发明的特征在于：烧结添加剂Y2O3-Al2O3 与Si3N4、h-BN粉末球磨混合、干燥后，装入模具中，将装有物料的模具置于放电等离子烧结炉中，抽真空以150-250度/分钟的速度升温到1600-1700度，在30-50MPa的压力下烧结3-8分钟后随炉冷却，获得致密的Si3N4-BN复相陶瓷。该方法烧结时间短，烧结温度低，工艺过程简单快速，因而制备成本低；所得到的陶瓷材料同时具有高的弯曲强度和良好的可加工性。

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