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放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料

发明专利

申请专利号：CN200610124512.4

申请日期：2006.09.13

公开公告号：CN1919793

公开公告日：2007.02.28

主分类号：C04B35/58(2006.0

分类号：C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：武汉理工大学

地址：430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号武汉理工大学科研处

发明设计人：梅炳初;严明;周卫兵;朱教群;田晨光;王苹

内容摘要：本发明是放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料。本陶瓷材料的原料组成及成分范围为：以Ti、Al、TiN为原料，三种原料的摩尔比为Ti∶C∶TiN＝1∶(0.6～ 1.4)∶(0.7～1.8)。本陶瓷材料的制备工艺包括以下步骤：按工艺要求称取Ti粉、Al粉、 TiN，混合均匀后，置于石墨模具中，在放电等离子烧结系统中的真空环境下进行烧结；升温速度为5～80℃/min，烧结温度为1100～1450℃，保温时间5～20分钟，压力为10～ 40MPa。本发明工艺简单，烧结温度是迄今为止合成Ti2AlN陶瓷材料最低的，所制备的高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料具有优秀的力学性能。

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