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| 锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200610130271.4 |
| 申请日期：2006.12.15 |
| 公开公告号：CN1974476 |
| 公开公告日：2007.06.06 |
| 主分类号：C04B35/36(2006.0 |
| 分类号：C04B35/36(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：天津大学 |
| 地址：300072天津市南开区卫津路92号 |
| 发明设计人：马卫兵;孙凤云;孙清池 |
| 内容摘要：本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法，其组分和含量为 LaMnO3基础上添加10-70mol％TiO2，同时添加0-60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制备步骤包括(1)配料，(2)造粒，(3)成型，(4)烧成，(5)电极制备。本发明克服了 NTCR陶瓷材料室温电阻较大的缺点，提供了一种具有良好的导电性能和高温稳定性、实现了室温电阻率为182Ω.cm，而温度系数B值为3268K的锰酸镧为基的钙钛矿型NTCR半导体陶瓷。本发明在温度测量、抑制浪涌电流和温度补偿方面得到广泛应用。 |
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