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一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200610147890.4

申请日期：2006.12.25

公开公告号：CN1986485

公开公告日：2007.06.27

主分类号：C04B35/462(2006.

分类号：C04B35/462(2006.01)I;C04B35/475(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H

国际申请：

国际公布：

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

地址：200050上海市定西路1295号

发明设计人：李玉臣;周志勇;包绍明;姚烈;董显林

内容摘要：一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷组成与制备领域。铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为： (Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-；其中，SrBi4Ti4O15相对应的化学式为： (Bi2O2)2+(SrBi2Ti4O13)2-，A位是Sr2+、Bi3+离子，B位是Ti4+离子，m＝4。本发明采用行星球磨、敞开粉末合成、敞开烧结的压电陶瓷工艺进行制备，材料的主要性能为：ε33T/ε0＝160±20，tanδ＝0.28％，Tc＝530℃， d33＝21pC/N，ρv(400℃)＝1.2×1010Ω·cm，可以制成各种形状的压电陶瓷元件，且能在室温至400℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，可以在高温条件下的测量、探测与自动控制方面获得广泛应用。

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