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一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200610147891.9

申请日期：2006.12.25

公开公告号：CN1986486

公开公告日：2007.06.27

主分类号：C04B35/491(2006.

分类号：C04B35/491(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)N

国际申请：

国际公布：

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

地址：200050上海市定西路1295号

发明设计人：李玉臣;包绍明;姚烈;董显林

内容摘要：一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。其特征在于：材料的基本化学组成为：Pb1-m-nSrmBan(Nb2/3Mg1/3)x(Nb2/3Zn1/3)0.25-xZryTizO3+amolSiO2+bmolSb2O3，其中，m+n＝0～0.20； x＝0.0～0.25；y＝0.20～0.40；z＝0.20～0.4；x+y+z＝1；a＝0.0～0.5；b＝0.0～ 0.5。本发明采用铌锌、铌镁和锆钛酸铅组成四元系压电陶瓷，在A位用Sr 和Ba复合置换部分铅，并通过添加合适的添加物，采用传统固相反应法，获得了一种压电常数d33＝780pC/N，ε33T/εo＝3800，tanδ＝1.36，Kp＝0.75，Qm＝55 的高性能压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成压电换能器，可以在医疗超声成像检测等方面获得广泛应用。

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