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一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200610147892.3

申请日期：2006.12.25

公开公告号：CN1994966

公开公告日：2007.07.11

主分类号：C04B35/462(2006.

分类号：C04B35/462(2006.01)I;C04B35/475(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

地址：200050上海市定西路1295号

发明设计人：李玉臣;包绍明;周志勇;姚烈;董显林

内容摘要：一种在高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。铋层状结构型压电陶瓷材料的化学通式为：Bi2O22+(Am-1BmO3m+1)2；其中 CaBi4Ti4O15相应的化学式为：(Bi2O2)2+(CaBi2Ti4O13)2+，A位为Ca2+、Bi3+离子，B位为Ti4+离子，m＝4。本发明的压电陶瓷材料采用传统固相反应法进行制备，可获得各种形状的压电陶瓷元件；材料的主要性能为：ε33T/ε0＝130，tanδ＝0.10％，Tc ＝782℃，d33＝19pC/N，ρv(480℃)＝1×109Ω·cm，且能在室温至480℃范围内反复使用。利用这类陶瓷元件组装成的各种压电传感器，可在高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。

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