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一种纳米粉体直接添加的改性PZT压电陶瓷及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200610154840.9

申请日期：2006.11.27

公开公告号：CN1958509

公开公告日：2007.05.09

主分类号：C04B35/462(2006.01)I

分类号：C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：浙江嘉康电子股份有限公司;浙江大学

地址：314000浙江省嘉兴市二环西路经济技术开发区

发明设计人：陶锋烨;王振;洪樟连;李广慧;郭煌;胥金华;姚志军;张火荣;王民权

内容摘要：本发明涉及一种纳米粉体原料直接添加制备的改性锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法，采用纳米粉体取代配方中的微米粉体，并在混合料中直接添加纳米组分粉体添加剂，预烧温度降低50℃～200℃，成烧温度可降低50℃～100℃，可综合调控预烧样品的晶相和料性，以及成烧压电陶瓷的电学性能；在1200℃左右成烧的纳米粉体直接添加改性压电陶瓷的居里点提高了50～100℃，高低温冲击稳定性能优越：TC＝350～400℃；ε ＝350～800；Kp＝0.48～0.60，介电常数可调；材料工艺稳定，重现性好。本发明压电陶瓷材料可应用于陶瓷鉴频器、滤波器等频率元器件的生产。

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