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一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器及其制备方法

发明专利

申请专利号：CN200610161368.1

申请日期：2006.12.22

公开公告号：CN1996536

公开公告日：2007.07.11

主分类号：H01H85/04(2006.01)I

分类号：H01H85/04(2006.01)I;H01H85/05(2006.01)I;H01H85/17(2006.01)I;H01H69/02(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：邓昱

地址：210009江苏省南京市云南路20号鸿德大厦1108

发明设计人：邓昱;崔旭高;韩小兵;南西荣;杨漫雪

内容摘要：本发明涉及一种以纳米碳化硅-氧化铝复合陶瓷材料为基片主要成分的表面贴装片式熔断器及其制备方法。所说的纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器，包括陶瓷基片、金属熔断丝、绝缘层、封装层和金属端头，其特征在于，所说的陶瓷基片由70-97 ％摩尔的纳米氧化铝和1-30％摩尔的纳米碳化硅为主要原料制成。所说的表面贴装片式熔断器是按上述的陶瓷基片的原料配比制得复合纳米陶瓷粉末，再用复合纳米陶瓷粉末为原料按常规方法制备得到本发明的表面贴装片式熔断器。本发明的熔断器通过采用纳米碳化硅-氧化铝复合陶瓷基片提高表面贴装片式熔断器陶瓷基片的机械韧性、耐热性和电绝缘性。

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