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高功率二极管支架结构及封装组合

发明专利

申请专利号：CN200610169070.5

申请日期：2006.12.20

公开公告号：CN101207102

公开公告日：2008.06.25

主分类号：H01L23/495(2006.01)I

分类号：H01L23/495(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：凯鼎科技股份有限公司

地址：中国台湾新竹县

发明设计人：陈志明;苏文龙;谢祥政

内容摘要：本发明提供一种高功率二极管支架结构及封装构造，包括：座体及多个金属电极，座体为陶瓷材料，其一端内部具有内凹的功能区，及功能区中具有通孔单元与不同极性的导电区，且另一端结合有散热基座，金属电极分别与座体结合，且金属电极分别相对的与导电区电连接；由此构成二极管支架结构。功能区中可设有多个发光二极管晶片，且分别对应于通孔单元，而发光二极管晶片及导电区分别连接有导线，并于功能区中覆盖封胶元件；由此构成二极管封装构造。本发明具耐高温、耐用及不透光性等特点，且可进行薄型化的设计，同时避免出现漏光的问题。

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