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| 一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200710031853.1 |
| 申请日期：2007.11.30 |
| 公开公告号：CN101186493 |
| 公开公告日：2008.05.28 |
| 主分类号：C04B35/453(2006.01)I |
| 分类号：C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)N |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：华南理工大学 |
| 地址：510640广东省广州市天河区五山路381号 |
| 发明设计人：何新华;郑敏贵;胡 星 |
| 内容摘要：本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法。按化学式 (Am-1BmO3m+1)2-(Bi2O2)2+摩尔比A∶B∶Bi＝m-1∶m∶2计算、称取原材料，其中A为适合于12配位的一价、二价、三价或四价金属离子，B为适合于八面体配位的三价、四价、五价或六价金属离子；经过混合、预合成、粉碎、成型、烧结等工序制备。烧结工艺为：以 2～5℃/min的升温速率升温至1100～1250℃，在1～5min内将温度迅速降低50～150℃，在950～1150℃低温保温5～20hr，以3～7℃/min的速度降温至500℃后，随炉自然冷却。采用本发明可以获得细晶、致密的铋层结构压电铁电陶瓷材料。 |
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