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一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料高温电阻率的方法 |
发明专利 |
申请专利号:CN200710032257.5 |
申请日期:2007.12.7 |
公开公告号:CN101186497 |
公开公告日:2008.5.28 |
主分类号:C04B35/462(2006.01)I |
分类号:C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)N |
国际申请: |
国际公布: |
申请人:华南理工大学 |
地址:510640广东省广州市天河区五山路381号 |
发明设计人:何新华;黎卓华;凌志远 |
内容摘要:本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料高温电阻率的方法,该方法包括配料、材料预处理和分段烧结,铋层结构压电铁电陶瓷材料的化学通式为 A(Bi4-xLnx)Ti4-yByO15,其中A为元素Ca、Sr和Ba中至少一种;B为元素V、W和Nb中至少一种;0<x≤0.5,0<y≤0.1。分段烧结是以2~5℃/min的速率将温度由室温升高到 1100~1200℃,在1~5min内降至1000~1100℃,以5℃/min的速度冷却至500℃后,随炉自然冷却。本发明可以获得在450℃下电阻率高达1.0×107~2.5×109Ω·m的铋层结构压电铁电陶瓷材料。该材料可应用于高温介电、压电陶瓷等领域。 |
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