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一种聚硼硅氮烷先驱体的制备方法

发明专利

申请专利号：CN200710035733.9

申请日期：2007.09.13

公开公告号：CN101148358

公开公告日：2008.03.26

主分类号：C04B35/515(2006.01)I

分类号：C04B35/515(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：中国人民解放军国防科学技术大学

地址：410073湖南省长沙市德雅路正街47号

发明设计人：王军;唐云;李效东;王浩

内容摘要：一种聚硼硅氮烷先驱体的制备方法，其包括以下步骤：以硼卤烷、卤硅烷、烷基胺化合物为起始原料，按硼卤烷∶卤硅烷的摩尔比为1∶10- 10∶1，烷基胺过量的配比混合、反应，反应完成后将产物过滤，滤液即为低分子硼硅氮烷，然后将低分子硼硅氮烷在加热的条件下高分子化，降温后即得到聚硼硅氮烷先驱体。本发明选用的原料成本低廉，来源可靠，反应过程简单，并且有较高的合成产率；可以实现各元素的原子级水平的均匀分布，避免了后续陶瓷材料制备和使用过程中的不良影响；可以有效地调控先驱体的加工性能和物理性能。

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