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| 掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200710042361.2 |
| 申请日期：2007.06.21 |
| 公开公告号：CN101074164 |
| 公开公告日：2007.11.21 |
| 主分类号：C04B35/495(2006.01)I |
| 分类号：C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)N |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 地址：200050上海市定西路1295号 |
| 发明设计人：孙 琳;冯楚德;陈立东 |
| 内容摘要：本发明涉及掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷领域。该材料的组成为Sr1-yBi2-x+yRexNb2O9，其中，Re＝Nd或Sm， 0＜x≤0.4，0≤y≤0.5，按照固相工艺制备方法，制备的铋层状压电陶瓷材料具有低介电常数，低的机电耦系数，高的机械品质因数以及很好的谐振频率温度稳定性等优点，是一种应用于压电陶瓷滤波器和振荡器的优良候选材料。 |
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