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| 无铅高居里点PTC热敏电阻材料 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200710048275.2 |
| 申请日期：2007.01.16 |
| 公开公告号：CN101013618 |
| 公开公告日：2007.08.08 |
| 主分类号：H01C7/02(2006.01)I |
| 分类号：H01C7/02(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：杨敬义;刘 青 |
| 地址：610061四川省成都市下东大街18号东方时代商城430(转) |
| 发明设计人：杨敬义;刘 青 |
| 内容摘要：本发明涉及一种半导体材料，尤其是符合无铅高居里点压电陶瓷材料实现半导体化，制备无铅高居里点PTC热敏电阻材料。该材料主成分组成为：(Na1/2Bi1/2)x(Ba1-x-y+z)TiO3+yM1+zM2O+0.02MnO2mol％。其中x＝0.01～0.15； y＝0.001～0.006；z＝0.005～0.05；M1＝0.0001～0.006；M2＝0.005～0.05；配方中含有微量半导化元素和添加剂成分，本发明的高居里点温度PTC热敏电阻材料中不含铅，避免了热敏电阻制造和使用中铅对环境的污染、人体的伤害。并且解决了不含铅高居里点温度PTC热敏电阻材料实现半导化的技术难题。 |
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