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| 一种制备部分稳定二氧化锆的方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200710066180.3 |
| 申请日期：2007.09.12 |
| 公开公告号：CN101125681 |
| 公开公告日：2008.02.20 |
| 主分类号：C01G25/02(2006.01)I |
| 分类号：C01G25/02(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：昆明理工大学 |
| 地址：650031云南省昆明市学府路253号 |
| 发明设计人：彭金辉;郭胜惠;毛金龙;张世敏;张利波;张泽彪 |
| 内容摘要：一种制备部分稳定二氧化锆的方法。用微波加热煅烧方法处理稳定结构的电熔法脱硅锆，包括浇铸块、空心球和粉体，以及处理化学法制备的二氧化锆前驱体氢氧化锆，得到单斜、四方和立方相混合结构的部分稳定二氧化锆产品。适合用作特殊陶瓷材料及耐火材料。 |
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