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| 高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200710119160.8 |
| 申请日期：2007.07.17 |
| 公开公告号：CN101100388 |
| 公开公告日：2008.01.09 |
| 主分类号：C04B35/584(2006.01)I |
| 分类号：C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：清华大学 |
| 地址：100084北京市北京100084-82信箱 |
| 发明设计人：宁晓山;张 洁;滕 甫 |
| 内容摘要：本发明公开了属于无机非金属材料领域的一种高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法。通过添加稀土氟化物YF3来替代常用的稀土氧化物Y2O3作为烧结助剂，另外添加碱土金属氧化物MgO来降低烧结过程中所产生的玻璃相的熔融温度和粘度以降低烧结温度和使晶界相结晶化，最终获得了热导率相对提高14％，抗弯强度相对增加9％的高热导率高强度氮化硅陶瓷。本发明具有重要的工业应用价值。 |
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