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| 一种用于以物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备 |
| 发明专利 |
| 申请专利号：CN200710119163.1 |
| 申请日期：2007.07.17 |
| 公开公告号：CN101144179 |
| 公开公告日：2008.03.19 |
| 主分类号：C30B23/00(2006.01)I |
| 分类号：C30B23/00(2006.01)I |
| 国际申请： |
| 国际公布： |
| 申请人：吴 晟 |
| 地址：100080北京市海淀区中关村南三街2号楼701室 |
| 发明设计人：吴 晟 |
| 内容摘要：本申请公开了一种用于物理气相传输法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。由于本发明的单晶生长设备中采用了工业陶瓷制作的真空生长室，使真空生长室的机械强度高、不易碎裂，也没有石英玻璃管微晶化的问题，单晶生长设备可以可靠地在高温环境下工作，且价格低，降低了设备成本。 |
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