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一种钼刚玉陶瓷材料及低温烧结方法

发明专利

申请专利号：CN200710147352.X

申请日期：2007.09.04

公开公告号：CN101182190

公开公告日：2008.05.21

主分类号：C04B35/10(2006.01)I

分类号：C04B35/10(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：桂林工学院

地址：541004广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林工学院

发明设计人：杨淑金;吴伯麟;张楠

内容摘要：本发明公开了一种钼刚玉陶瓷材料及低温烧结方法。钼刚玉陶瓷材料中原料重量百分比含量为：氧化铝粉85～99.5％、氧化钼0.1～3.0％、粘土0.1～14.5 ％、长石0.1～14.5％、碳酸钙0.1～14.5％、滑石0.1～14.5％。步骤为：将上述原料球磨混合3小时后在空气中于100℃烘干24小时；采用冷等静压成型，在 200～300MPa下保压3分钟；在硅钼炉中1350～1550℃保温0.5～3小时烧结，随炉冷却，可获得钼刚玉陶瓷材料。本发明采用一般工业设备，工艺简单，有利于刚玉陶瓷工业化生产；不仅显著降低氧化铝陶瓷的烧结温度，同时抗弯强度可以达到350～600MPa；能显著降低高铝陶瓷生产中的高温能耗及产品成本，同时获得高强氧化铝陶瓷。

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