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具有多通道指令预取功能的存储控制电路

发明专利

申请专利号：CN200710024831.2

申请日期：2007.06.29

公开公告号：CN101078979

公开公告日：2007.11.28

主分类号：G06F9/38(2006.01

分类号：G06F9/38(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I

国际申请：

国际公布：

申请人：东南大学

地址：210096江苏省南京市四牌楼2号

发明设计人：凌明;张宇;史先强;肖建;陆生礼;时龙兴

内容摘要：本发明公开了一种具有多通道指令预取功能的存储控制电路，涉及微处理器内部的存储控制电路。包括有两个指令预取缓冲器(L1、L2)，SDRAM/DRAM逻辑控制电路，总线接口，地址译码器，地址比较器，SDRAM/DRAM读写控制电路以及片外SDRAM/DRAM 存储体等。两个通道指令预取缓冲器采用乒乓方式工作，从而使在读取片外 SDRAM/DRAM存储体中的指令填充指令预取缓冲器时，消除了CAS的等待时间。同时采用两组指令预取缓冲器，减少了在程序出现循环时因打断当前正在工作的指令预取缓冲器，重新预取指令而增加的预充电和激活的等待时间。采用页面不命中惩罚控制电路，减少了在程序连续出现跳转时的预充电时间。

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