透明氮氧化铝陶瓷的制备工艺- 申请方：山东理工大学 申请专利号：CN200710013606.9. 2007.9.12
- 摘要：本发明涉及透明氮氧化铝陶瓷的制备工艺，属于陶瓷材料制备技术领域，包括原料的配比、坯体成型和烧结工艺，其特征在于：将重量比为80～95％的AI2O3和5～20％的AIN混合，另按其混合物重量的0.1～9％添加烧结助剂，球磨后干燥，然后先干压成型，再在等静压中压成获得坯体，烧成时，先素烧，即真空升温到800～1200℃...
- 透明氮氧化铝陶瓷的制备方法
- 申请方：山东理工大学 申请专利号：CN200710013607.3. 2007.09.12
- 摘要：本发明涉及透明氮氧化铝陶瓷的制备方法，属于陶瓷材料制备领域，包括原料的配比、坯体成型和烧结工艺，其特征在于：将重量比为80～95％的AI2O3和5～20％的AIN混合，另按其混合物重量的0.1～9％添加烧结助剂，球磨后干燥，然后先干压成型，再在等静压中压成获得坯体，坯体烧成时先真空升温到800～1200℃保温0.5...
- 用陶瓷材料吸声的声光器件
- 申请方：中国电子科技集团公司第二十六研究所 申请专利号：CN200710078170.1. 2007.08.29
- 摘要：本发明公开一种用陶瓷材料吸声的声光器件，包括换能器、声光互作用介质、反射面和校正块，其特征在于用胶粘剂把吸声陶瓷片粘接在声光互作用介质的反射面上。本发明利用碳化硅、氮化铝或氮化硼陶瓷材料的吸声效果好，没有剩余反射声波，以及膨胀系数与声光互作用介质的差异较小等特点，将其应用于声光器件，即使使用环境温差过大，或陶瓷材料...
- 稀土氧化物掺杂改性的锆钛酸钡介电可调陶瓷材料及其制备方法
- 申请方：同济大学 申请专利号：CN200710036481.1. 2007.08.01
- 摘要：本发明公开了一种稀土氧化物掺杂改性的锆钛酸钡介电可调陶瓷材料，其分子式为 Ba1-xMx(Ti1-y-0.25xZry)O3，其中，M为稀土元素，x＝0.001～0.05；y＝0.1～0.5。本发明还公开了一种制备稀土氧化物掺杂改性的锆钛酸钡介电可调陶瓷材料的方法，本发明中的氧化物掺杂改性的锆钛酸钡介电可调陶瓷材料...
- 陶瓷散热材料及其用途和制造方法
- 申请方：林一民 申请专利号：CN200710008419.1. 2007.8.8
- 摘要：本发明涉及一种以碳化硅为基料的陶瓷材料，特别是一种陶瓷散热材料及其制造方法和用途，陶瓷散热材料，主要由碳化硅、三氧化二铝、二氧化硅和粘结剂为原材料注射成型而成，它们的重量百分比配方是，碳化硅50％～90％，三氧化二铝5％～35％，二氧化硅2％～15％，粘结剂3％～25％，其用作电固体器件散热装置的散热鳍片体，射灯的...
- 一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法
- 申请方：中国科学院上海硅酸盐研究所 申请专利号：CN200610147892.3. 2007.07.11
- 摘要：一种在高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。铋层状结构型压电陶瓷材料的化学通式为：Bi2O22+(Am-1BmO3m+1)2；其中 CaBi4Ti4O15相应的化学式为：(Bi2O2)2+(CaBi2Ti4O13)2+，A位为Ca2+、Bi3+离子，B位为Ti4+离子，m＝4。本发明的...
- 一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器及其制备方法
- 申请方：邓 昱 申请专利号：CN200610161368.1. 2007.07.11
- 摘要：本发明涉及一种以纳米碳化硅-氧化铝复合陶瓷材料为基片主要成分的表面贴装片式熔断器及其制备方法。所说的纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器，包括陶瓷基片、金属熔断丝、绝缘层、封装层和金属端头，其特征在于，所说的陶瓷基片由70-97 ％摩尔的纳米氧化铝和1-30％摩尔的纳米碳化硅为主要原料制成。所说的表面贴装...