一种低温共烧陶瓷及其制备方法- 申请方：清华大学 申请专利号：CN200510076888.8. 2005.11.09
- 摘要：本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料，含有下述重量份数比的组分：Bi2O3 40-80，B2O3 5-20，SiO2 5-30，助熔剂0-2，陶瓷材料1-50。其制备方法包括如下步骤：(1)向含有上述重量份数组分的混合物料中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新研磨成粉末； (2)将所得粉末...
- 带覆层的热交换器
- 申请方：周惠敏 申请专利号：CN200510043838.X. 2005.11.16
- 摘要：带覆层的热交换器，属于热交换器技术领域。本发明的热交换器在蓄热体表面的一面或多面涂有一层发射率高于蓄热体基体材料的高辐射材料覆层。热交换器在蓄热体形状是蜂窝状，翅片状，球状或板状。蓄热体基体由耐火材料、陶瓷材料或钢铁材料制成。本发明的热交换器具有较好的吸热和放热能力，蓄热量增加，热交换性能提高，同时可节约能源。
- 三维网络陶瓷-金属摩擦复合材料的真空-气压铸造方法
- 申请方：东北大学 申请专利号：CN200510046691.X. 2006.02.01
- 摘要：一种三维网络陶瓷-金属摩擦复合材料的真空-气压铸造方法，工艺步骤为：三维网络陶瓷骨架的预处理、模具处理和金属的熔铸。三维网络陶瓷骨架采用SiC、B4C、Si3N4、Al2O3、 ZrO2或莫来石陶瓷材料，金属采用铝或铝合金或铜合金或钛合金或钢铁材料。三维网络陶瓷骨架的预处理可以采用表面预氧化处理、无机物改性、电镀包...
- 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法
- 申请方：哈尔滨工业大学 申请专利号：CN200510010085.2. 2006.01.25
- 摘要：一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体...
- 一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法
- 申请方：清华大学 申请专利号：CN200510076993.1. 2005.11.23
- 摘要：本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法。首先采用包混工艺将一定质量比的硅粉、酚醛树脂和酒精制备包混粉体，其次将包混粉体进行低温低压成型制备陶瓷生坯，接着高温碳化处理陶瓷生坯，最后将碳化处理样品进行高温烧结获得孔隙率大于80％的多孔碳化硅陶瓷。本方法工艺简单、生产效率高、节能、环境...
- 纳米微晶玻璃-陶瓷及其制造方法
- 申请方：康宁股份有限公司 申请专利号：CN200580019898.6. 2007.10.31
- 摘要：经下述方法来制造玻璃-陶瓷材料，在多孔玻璃基体中渗入用于结晶相的前体、干燥、使前体发生化学反应并烧制成固结的玻璃-陶瓷材料。玻璃基体的孔大小限制了纳米微晶大小结构的生长和分布。前体以水溶液、有机溶剂溶液或熔融盐的形式渗入多孔玻璃基体。化学反应步骤可以包括分解盐和还原或氧化反应。使用含Fe掺杂剂制得的玻璃-陶瓷具有磁...
- 电热塞及其制造方法
- 申请方：韦巴斯托股份公司 申请专利号：CN200580019098.4. 2007.05.30
- 摘要：本发明涉及电热塞及其制造方法，所述电热塞由一种导电元件和一种非导电元件制造，制造中使用了烧结的复合陶瓷材料。这些电热塞可以优选地用于机动车辆的利用燃料工作的固定式加热器。根据提出的目的，应该可以低成本高效率和灵活地制造这种电热塞，同时提供延长的使用寿命和抗氧化性。此处的导电元件在两个相对的面上被非导电元件包围并且在...