片式电容器用介质陶瓷材料及其制备方法- 申请方：华南理工大学 申请专利号：CN200510032658.1. 2005.08.17
- 摘要：本发明提供一种低电压非线性片式电容器用介质陶瓷材料的制备方法，包括：(1)制备作为第三副成分的玻璃态物料，其化学成分为：SrO，CaO，BaO，B2O3，SiO2之摩尔比＝0.5∶0.5∶0.2～0.5∶1.0～2.0∶0.5～1.0；(2)制备主成分，其化学表达式为：(Ca1-x-ySrxBay)(Ti1-zZr...
- 一种低温烧结的固溶体微波介质陶瓷材料
- 申请方：清华大学 申请专利号：CN200410103565.9. 2005.06.29
- 摘要：本发明涉及一种低温烧结后具有高品质因数的微波介质陶瓷材料，属于微波介质材料制造技术领域；该材料为xZnO·yNb2O5·mV2O5·nSb2O3，各成分的含量(摩尔数％)为：50≤x≤55，35≤y≤49，1.0≤m≤10，0≤n≤9，x+y+m+n＝100，m+n≤10；该材料烧结温度在1000℃以下，材料的介电...
- 一种氧化铝基陶瓷复合材料的制备方法
- 申请方：山东大学 申请专利号：CN200410075761.X. 2005.08.24
- 摘要：本发明属于陶瓷材料领域，涉及一种高硬度、高韧性氧化铝基陶瓷复合材料的制备方法。本发明的特征是：首先在普通中频感应炉中制备铝钛碳中间合金，再将铝钛碳中间合金、氧化铝、氧化锆按铝钛碳中间合金6-8％、氧化铝84-93％、氧化锆1-8％的质量百分比混合球磨，制得混合粉体；然后将混合粉体材料在氮气气氛热压烧结。用该方法制备...
- 超级亲水易洁功能陶瓷材料及其制备工艺
- 申请方：淄博博纳科技发展有限公司;河北工? 申请专利号：CN200410075789.3. 2005.10.26
- 摘要：本发明涉及一种超级亲水易洁功能陶瓷材料，用于制作生产易洁抗菌高档陶瓷产品，由下列百分摩尔比的原料配制而成：稀土材料2～10％、远红外辐射材料25～40 ％、表面能调节材料10～30％、电荷调控材料2～10％、助熔材料6～15％、无机抗菌材料2～15％，本发明同时提供了科学合理，简单易行的制备工艺。使用时首先制成釉浆...
- 一种中高压多层片式结构的陶瓷电容器
- 申请方：清华同方股份有限公司 申请专利号：CN200410101850.7. 2006.07.05
- 摘要：一种中高压多层片式结构的陶瓷电容器，涉及陶瓷电容器技术领域。本发明包括用陶瓷材料制成的、带两种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极。其中一类介质层的内电极一呈两个小矩形、间隔布列并使各内电极一的外边缘分别与两端外电极连接，二类介质层的内电极二呈一个大矩形与内电极一的两个小矩形的印刷位置对应。其结构特点是，它还包...
- 一种用于中高压多层片式结构的陶瓷电容器
- 申请方：清华同方股份有限公司 申请专利号：CN200410101851.1. 2006.07.05
- 摘要：一种用于中高电压的多层片式结构的陶瓷电容器，涉及陶瓷电容器技术领域。本发明包括用陶瓷材料制成的、带三种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极。其中一类介质层的内电极一的形状为二至N个矩形、间隔布列并使排列在两侧边的内电极一的外边缘分别与两端外电极连接，二类介质层的内电极二的形状为二至二乘以N 减二个环式四边形，三...
- 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
- 申请方：电子科技大学 申请专利号：CN200410081614.3. 2005.08.17
- 摘要：纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域，特别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明所制备的掺杂剂的尺寸达纳米级，成本低，均匀性好。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，提供一种纳米级陶瓷材料掺杂剂，其主成分为包含以下元素的复合氧化物：a Si+b A+c D+d R，...