喂纱器和反射体- 申请方：艾罗帕股份有限公司 申请专利号：CN200480010725.3. 2006.05.24
- 摘要：喂纱器(F)，其包括光电子纱线传感器(S)，该传感器包括在输送纱线卷绕物(9)的储存体(3)的圆周部分上提供的反射表面(B)，该反射表面(B)位于光透明保护层(5)之后，其表面(13)与所述纱线卷绕物(9)接触，其中保护层(5)至少在其表面(13)是由光透明无定形陶瓷材料(C)组成的。
- 陶瓷粉料水基流延工艺用的浆料
- 申请方：中国科学院上海硅酸盐研究所 申请专利号：CN200410017748.9. 2005.01.12
- 摘要：本发明涉及一种水基流延用的陶瓷浆料，属于陶瓷薄膜制备工艺领域。其特征在于该浆料以水为溶剂，聚乙烯醇为粘结剂，丙二醇为塑性剂；丙二醇和聚乙烯醇的质量比为1∶2-2∶1；使用的聚乙烯醇的聚合度为1200-2000，醇解度为55-99％，丙二醇为1，3-丙二醇和1，2-丙二醇中一种或两种按任意比例的混合物。在浆料中，当陶...
- 一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法
- 申请方：哈尔滨工业大学 申请专利号：CN200510075767.1. 2006.01.18
- 摘要：一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备工艺。本发明按照下述步骤进行制备：a.将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；b.向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Si-O-N有机聚合物；c.向Si-O-N有机聚合物中通入硼化物，得到Si-B-O-N-C有机聚合物；d.在管式气氛保护...
- 一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法
- 申请方：哈尔滨工业大学 申请专利号：CN200410013682.6. CN1562866
- 摘要：一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法，涉及一种陶瓷材料及其制备工艺。本发明中涉及到的材料是由Si、B、O、N、C组成的非晶与微晶陶瓷，其中Si、B、O、N、C的摩尔比为(1～6)∶1∶(2～8)∶(1～2)∶(0.2～0.5)。它按照下述步骤进行制备：a.将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚...
- 用于制备结晶物质块的设备用的熔炉及其制备方法
- 申请方：阿波朗.索拉尔公司;西伯斯塔公司;E 申请专利号：CN200480010351.5. 2006.05.17
- 摘要：公开了一种熔炉，平行于基本上垂直于底部(7)延伸的轴，熔炉的底部 (7)的传热性质远大于侧壁(8)的传热性质。底部(7)和侧壁(8)是由具有相同主要化学组分的材料形成的。底部(7)对红外辐射是透光的，侧壁(8)对红外辐射是不透光的。底部(7)是由无定形硅石制成的，侧壁(8)是由不透光的石英组成的陶瓷材料制成的。熔炉...
- 用于制造金属基质复合材料的组合物
- 申请方：陶氏环球技术公司 申请专利号：CN200480009479.X. 2006.05.10
- 摘要：在一个具体实施方式中，一种与熔融金属混合以制造金属基质复合材料的组合物(10)，该组合物的特征在于：一种陶瓷补强填充剂 (12)，该陶瓷补强填充剂不能被熔融铝润湿和/或在熔融铝中不具有化学稳定性，该陶瓷补强填充剂涂有一种陶瓷材料，该陶瓷材料可以被熔融铝润湿并在熔融铝中具有化学稳定性。在一个相关具体实施方式中，一种制...
- 用于电子发射器件的碳基复合颗粒及制备方法
- 申请方：三星SDI株式会社 申请专利号：CN200410076614.4. 2005.02.02
- 摘要：本发明公开了一种用于电子发射源的碳基复合颗粒，包括：选自金属、氧化物及陶瓷材料的颗粒；以及碳基材料，如部分埋藏在颗粒内部且部分从颗粒表面伸出的碳纳米管。